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Dual, SiGe, High-Linearity, 1700MHz to 2200MHz
Downconversion Mixer with LO Buffer/Switch
RECOMMENDED AC OPERATING CONDITIONS
PARAMETER
RF Frequency
LO Frequency
SYMBOL
f RF
f LO
(Note 5)
(Note 5)
CONDITIONS
MIN
1700
1400
TYP
MAX
2200
2000
UNITS
MHz
MHz
Using Mini-Circuits TC4-1W-17 4:1
IF Frequency
f IF
transformer as defined in the typical
application circuit, IF matching components
affect the IF frequency range (Note 5)
100
500
MHz
Using alternative Mini-Circuits TC4-1W-7A
4:1 transformer, IF matching components
50
250
MHz
affect the IF frequency range (Note 5)
LO Drive Level
P LO
-3
+3
dBm
+5.0V SUPPLY AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Typical Application Circuit optimized for the DCS/PCS band, R1 = R4 = 806 Ω , R2 = R5 = 2.32k Ω , V CC = +4.75V to +5.25V, RF and
LO ports are driven from 50 Ω sources, P LO = -3dBm to +3dBm, PRF = -5dBm, f RF = 1700MHz to 2000MHz, f LO = 1510MHz to
1810MHz, f IF = 190MHz, f RF > f LO , T C = -40°C to +85°C. Typical values are at V CC = +5.0V, P RF = -5dBm, P LO = 0dBm,
fRF = 1800MHz, f LO = 1610MHz, f IF = 190MHz, T C = +25°C, unless otherwise noted.) (Note 6)
PARAMETER
SYMBOL
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
UNITS
7
9
11
T C = +25°C
7.8
9
10.2
Conversion Gain
G C
Typical Application Circuit optimized for
UMTS band (R1 = R4 = 681 Ω , R2 = R5 =
1.5k Ω ), f LO = 1760MHz, f RF = 1950MHz
8.9
dB
Flatness over any one of three frequency
bands:
Conversion Gain Flatness
f RF = 1710MHz to 1785MHz
±0.1
dB
f RF = 1850MHz to 1910MHz
f RF = 1920MHz to 1980MHz
f RF = 1700MHz to 2000MHz,
Gain Variation Over Temperature
TC CG
f LO = 1510MHz to 1810MHz,
-0.009
dB/°C
f IF = 190MHz, T C = -40°C to +85°C
f RF = 1700MHz for min value
9.5
12.5
Input Compression Point
(Note 7)
IP 1dB
Typical Application Circuit optimized for
UMTS band (R1 = R4 = 681 Ω , R2 = R5 =
1.5k Ω ), f LO = 1760MHz, f IF = 190MHz,
13.3
dBm
f RF = 1950MHz
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